蚀刻工艺化学反应过程中所产生的气泡常会造成蚀刻的不均匀性，气泡留滞于基材上阻止了蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，将使得蚀刻速率变慢或停滞，直到气泡离开基材表面。因此在这种情况下会在溶液中加入一些催化剂增进蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，并在蚀刻过程中予于搅动以加速气泡的脱离。
蚀刻工艺加工产品常用的分类：
1.湿腐蚀
最普遍、也是设备成本最低的蚀刻加工方法。影响其蚀刻效率的因素有三：蚀刻液溶度、蚀刻液温度以及搅拌程度。定性而言，增加蚀刻液温度与增加搅拌程度均能有效提高蚀刻效率，但蚀刻液溶度对其影响不明确。湿蚀刻的配方选用是一项技术，对于非专业人员必须向专业人士请教，一个选用湿蚀刻配方的重要观念是selectivity，意指进行蚀刻加工时，对被腐蚀物去除速度与连带对其他材质的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的蚀刻系统应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之蚀刻掩膜或其他基板材料。
2.干蚀刻
干蚀刻是一类较新型，但迅速被半导体工业所采用的技术。其利用电浆来进行半导体薄膜材料的加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001Torr的环境下，才有可能被激发出来。而干蚀刻采用的气体，或轰击适量颇巨，或化学活性极高，均能达到蚀刻目的。干蚀刻基本上包括离子轰击与化学反应两部分蚀刻加工机制。偏离子轰击效应者食用氩气，蚀刻加工之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采取氟系或者氯系气体(如四氟化碳)，经激发出来的电浆，会带有氟或氯离子团，可快速与芯片表面材质反应。
蚀刻工艺贝尔科技是精密蚀刻加工厂商,是蚀刻工艺技术领导者,提供蚀刻加工、不锈钢蚀刻网等各种蚀刻加工服务。免费提供蚀刻加工方案,欢迎咨询13930122555!
