曲阳不锈钢蚀刻不需要调节水量。连续给水时，即使从计算式可求出给水量(L/h )，但当给水量在1001./h以下时，要维持给水量的恒定是比较困难的，在带出量有变动时就要调节给水量;而间隙式清洗时最初与最后的清洗水浓度可以凭经验或通过分析来控制，间隙给水周期没有必要严格按一定时间或天数，可以灵活掌握。
在集成电路的制造过程中，蚀刻就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，蚀刻可以分为湿法蚀刻和干法蚀刻。前者的主要特点是各向同性蚀刻;后者是利用等离子体来进行各向异性蚀刻，可以严格控制纵向和横向蚀刻。根据应用场合的不同，湿法和干法蚀刻工艺都被广泛用于半导体制造。湿法工艺的优势主要在于相对较低的成本和高的蚀刻选择性(即两种材料的蚀刻速率之比，比如光刻胶掩膜和被蚀刻材料的蚀刻速率之比)。然而，由于无法控制蚀刻的方向性，所以湿法蚀刻一般得到各向同性的轮廓。当然，这可能正是某些应用所需要的，而对另一些需要将材料完全从晶圆上去除的应用来说也不存在问题。但是，对于那些需要各向异性蚀刻(比如垂直的侧墙)或特殊轮廓的应用而言，干法蚀刻是更好的选择。
干法的各向异性蚀刻，可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指，与硅片平行的待蚀刻物质的图形底部，表面的原子键被破坏，扩散至此的自由基很容易与其发生反应，使得这个方向的蚀刻得以持续进行。与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整，从而形态得到保护。侧壁钝化机制是指，蚀刻反应产生的非挥发性的副产物，光刻胶蚀刻产生的聚合物，以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待蚀刻物质表面形成钝化层。图形底部受到离子的轰击，钝化层会被击穿，露出里面的待蚀刻物质继续反应，而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击，阻止了这个方向蚀刻的进一步进行。
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